Ensemble Ultravide destiné à l'épitaxie par évaporation des couches minces et caractérisation des surfaces par diffraction des électrons rapides.
Domaines d'utilisation de l'equipement lourd: Fabrication des couches minces semiconductrices à base des matériaux III V : structures 2D et structures de boites quantiques pour les transistors HEMT, détecteurs et photovoltaîques à haut rendement - Mesure RHEED
